Z. Gacevic, S. Fernandez-garrido, J. M. Rebled, S. Estrade, F. Peiro et al., Appl. Phys. Lett, vol.99, p.31103, 2011.

S. Nakamura, Science, vol.281, p.956, 1998.

N. Kriouche, A. Watanabe, O. Oda, and T. Egawa, J. Cryst. Growth, vol.390, p.51, 2014.

J. Carlin and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett, vol.83, p.668, 2003.

J. Carlin, C. Zellweger, J. Dorsaz, S. Nicolay, G. Christmann et al., Phys. Stat. Sol. B, vol.242, p.2326, 2005.

H. P. Schenk, M. Nemoz, M. Korytov, P. Vennéguès, A. D. Dräger et al., Appl. Phys. Lett, vol.93, p.81116, 2008.

H. F. Liu, C. C. Tan, G. K. Dalapati, and D. Z. Chi, J. Appl. Phys, vol.112, p.63114, 2012.

R. Butté, J. Carlin, E. Feltin, M. Gonschorek, S. Nicolay et al., J. Phys. D: Appl. Phys, vol.40, p.6328, 2007.

I. M. Watson, Coord. Chem. Rev, vol.257, p.2120, 2013.

T. Palacios, A. Chakraborty, S. Rajan, C. Poblenz, S. Keller et al., IEEE Electron Device Lett, vol.26, p.781, 2005.

I. Daumiller, D. Theron, C. Gaquiere, A. Vescan, R. Dietrich et al., IEEE Electron Device Lett, vol.22, p.62, 2001.

J. A. Del-alamo and J. Joh, Microelectron. Reliab, vol.49, p.1200, 2009.

S. Pandey, D. Cavalcoli, B. Fraboni, A. Cavallini, T. Brazzini et al., Appl. Phys. Lett, vol.100, p.152116, 2012.

L. Semra, A. Telia, M. Kaddeche, and A. Soltani, International Conference on Engineering and Technology (ICET), p.1, 2012.

M. F. Romero, M. Feneberg, P. Moser, C. Berger, J. Bläsing et al., Appl. Phys. Lett, vol.100, p.212101, 2012.

N. Sarazin, E. Morvan, M. A. Di-forte-poisson, M. Oualli, C. Gaquiere et al., IEEE Electron Device Lett, vol.31, p.11, 2010.

D. Donoval, A. Chvála, R. ?ramatý, J. Ková?, E. Morvan et al., J. Appl. Phys, vol.109, p.63711, 2011.

J. Kuzmik, IEEE Electron Device Lett, vol.22, p.510, 2001.

J. S. Xue, Y. Hao, J. C. Zhang, X. W. Zhou, Z. Y. Liu et al., Appl. Phys. Lett, vol.98, p.113504, 2011.

J. Ichikawa, Y. Sakai, Z. Chen, K. Fujita, and T. Egawa, Jpn. J. Appl. Phys, vol.51, pp.1-07, 2012.

E. Taylor, M. D. Smith, T. C. Sadler, K. Lorenz, H. N. Li et al., J. Cryst. Growth, vol.408, p.97, 2014.

H. R. Brice, T. C. Sadler, M. J. Kappers, and R. A. Oliver, J. Cryst. Growth, vol.312, p.1800, 2010.

L. Lugani, M. A. Py, J. Carlin, and N. Grandjean, J. Appl. Phys, vol.115, p.74506, 2014.

K. Jeganathan, M. Shimizu, H. Okumura, Y. Yano, and N. Akutsu, J. Cryst. Growth, vol.304, 2007.

, P338 ECS Journal of Solid State Science and Technology, vol.7, issue.6, pp.329-338, 2018.

K. Jeganathan and M. Shimizu, AIP Advances, vol.4, p.97113, 2014.

M. H. Wong, F. Wu, C. A. Hurni, S. Choi, J. S. Speck et al., Appl. Phys. Lett, vol.100, p.72107, 2012.

M. Gonschorek, J. Carlin, E. Feltin, M. A. Py, and N. Grandjean, Appl. Phys. Lett, vol.89, p.62106, 2006.

M. Gonschorek, J. Carlin, E. Feltin, M. A. Py, N. Grandjean et al., J. Appl. Phys, vol.103, p.93714, 2008.

A. Redondo-cubero, K. Lorentz, R. Gago, N. Gago, M. Diforte-poisson et al., J. Phys. D Appl. Phys, vol.43, p.55406, 2010.

D. Maier, M. Alomari, N. Grandjean, J. Carlin, M. -a.-diforte-poisson et al., IEEE Electron Device Lett, vol.33, p.985, 2012.

F. Medjdoub, J. F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M. A. Py et al., IEDM Tech. Dig, p.1, 2006.

F. Medjdoub, M. Alomari, J. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin et al., IEEE Electron Device Lett, vol.29, p.5, 2008.

L. Lugani, J. Carlin, M. A. Py, and N. Grandjean, Appl. Phys. Lett, vol.105, p.112101, 2014.

H. Yu, M. Ozturk, P. Demirel, H. Cakmak, B. Bolukbas et al., Semicond. Sci. Technol, vol.26, p.85010, 2011.

H. Behmenburg, L. R. Khoshro, C. Mauder, N. Ketteniss, K. H. Lee et al., Phys. Status Solidi C, vol.7, p.2104, 2010.

K. Takhar, U. P. Gomes, K. Ranjan, S. Rathi, and D. Biswas, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng, vol.73, p.12001, 2015.

Z. Y. Fan and N. Newman, Mater. Sci. Eng. B, vol.87, p.244, 2001.

R. D. Jones and K. Rose, J. Phys. Chem. Sol, vol.48, p.587, 1987.

Q. Guo, O. Kato, and A. Yoshida, J. Appl. Phys, vol.73, p.7969, 1993.

Y. Huang, H. Wang, Q. Sun, J. Chen, J. F. Wang et al., J. Cryst. Growth, vol.281, p.310, 2005.

J. Palisaitis, C. Hsiao, L. Hultman, J. Birch, and P. O. Persson, Acta Materialia, vol.61, p.4683, 2013.

J. Palisaitis, C. Hsiao, L. Hultman, J. Birch, and P. O. Persson, Scientific Reports, vol.7, p.44390, 2017.

A. Watanabe, J. J. Freedsman, Y. Urayama, D. Christy, and T. Egawa, J. Appl. Phys, vol.118, p.235705, 2015.

J. Lee, M. Yan, B. Ofuonye, J. Jang, X. Gao et al., Phys. Status Solidi A, vol.208, p.1538, 2011.

G. Pozzovivo, J. Kuzmik, C. Giesen, M. Heuken, J. Liday et al., Phys. Status Solidi C, vol.6, p.999, 2009.

Y. Liu, S. P. Singh, Y. J. Ngoo, L. M. Kyaw, M. K. Bera et al., J. Vac. Sci. Technol, vol.32, p.32201, 2014.

M. Alomari, A. Chuvilin, L. Toth, B. Pecz, J. Carlin et al., Phys. Status Solidi C, vol.7, p.13, 2010.

S. Ozaki, K. Makiyama, T. Ohki, Y. Kamada, M. Sato et al., Phys. Status Solidi A, vol.213, p.1259, 2015.

J. Ková?, R. ?ramatý, A. Chvála, H. Sibboni, E. Morvan et al., Appl. Phys. Lett, vol.98, p.162111, 2011.

M. Eickelkamp, M. Weingarten, L. Khoshoroo, N. Ketteniss, H. Behmenburg et al., J. Appl. Phys, vol.110, p.84501, 2011.

T. Hashizume and H. Hasegawa, Appl. Surf. Sci, vol.234, p.387, 2004.

M. Akazawa and T. Nakano, ECS Solid State Letters, vol.1, p.4, 2012.

M. Akazawa, M. Chiba, and T. Nakano, CS MANTECH Conference, 2014.

S. W. King, J. P. Barnak, M. D. Bremser, K. M. Tracy, C. Ronning et al., J. Appl. Phys, vol.84, p.5248, 1998.

J. Choi, R. Puthenkovilakam, and J. P. Chang, Appl. Phys. Lett, vol.86, p.192101, 2005.

M. R. Alexander, G. E. Thompson, and G. Beamson, Surf. Interface Anal, vol.29, p.468, 2000.

I. Bertoti, Surf. Coat. Technol, vol.194, pp.151-152, 2002.

L. Rosenberger, R. Baird, E. Mccullen, G. Auner, and G. Shreve, Surf. Interface Anal, vol.40, p.1254, 2008.

Y. Chang, Y. Lu, Y. Hong, C. Kuo, S. Gwo et al., J. Appl. Phys, vol.107, p.43710, 2010.

R. Zhang, P. Zhang, T. Kang, H. Fan, X. Liu et al., Appl. Phys. Lett, vol.91, p.162104, 2007.

T. Nagata, G. Koblmüller, O. Bierwagen, C. S. Gallinat, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett, vol.95, p.132104, 2009.

E. O. Filatova and A. S. Konashuk, J. Phys. Chem. C, vol.119, p.20755, 2015.

M. Alizadeh, V. Ganesh, B. T. Goh, C. F. Dee, A. R. Mohmad et al., Appl. Surf. Sci, vol.378, p.150, 2016.

J. D. Hecht, F. Forst, T. Chassé, D. Hirsch, H. Neumann et al., Appl. Surf. Sci, vol.179, p.196, 2001.

S. Tanuma, C. J. Powell, and D. R. Penn, Surf. Interface Anal, vol.21, p.165, 1994.

C. J. Powell and A. Jablonski, Standard Reference Database, vol.71, 2010.

J. Hong, J. W. Lee, C. B. Vartuli, J. D. Mackenzie, S. M. Donovan et al., Solid State. Electronics, vol.41, p.681, 1997.

K. S. Butcher, A. J. Fernandes, P. P. Chen, M. Wintrebert-fouquet, H. Timmers et al., J. Appl. Phys, vol.101, p.123702, 2007.

J. P. Espinós, A. R. González-elipe, M. Mohai, and I. Bertóti, Surf. Interface Anal, vol.30, p.90, 2000.

I. Bertoti, Catal. Today, vol.181, p.95, 2012.

Y. Chung, J. C. Lee, and H. J. Shin, Appl. Phys. Lett, vol.86, p.22901, 2005.

M. Losurdo, P. Capezzuto, and G. Bruno, J. Appl. Phys, vol.88, p.2138, 2000.

H. Shinoda and N. Mutsukura, Dia. Relat. Mater, vol.11, p.896, 2002.

G. V. Soares, K. P. Bastos, R. P. Pezzi, L. Miotti, C. Driemeier et al., Appl. Phys. Lett, vol.84, p.4992, 2004.

P. W. Wang, J. Hsu, Y. Lin, and H. Chen, Appl. Surf. Sci, vol.256, p.4211, 2010.

P. W. Wang, J. C. Hsu, Y. H. Lin, and H. L. Chen, Surf. Interface Anal, vol.43, p.1089, 2011.

N. Karar, R. Opila, and T. Beebe, J. Electrochem. Soc, vol.158, p.342, 2011.

M. D. Smith, E. Taylor, T. C. Sadler, V. Z. Zubialevich, K. Lorenz et al., J. Mater. Chem. C, vol.2, p.5787, 2014.

L. Wang, Y. Bu, and J. Ao, Diam. Relat. Mater, vol.73, p.1, 2017.

R. Bouveyron and M. B. Charles, J. Cryst. Growth, vol.464, p.105, 2017.

N. Laidani, L. Vanzetti, M. Anderle, A. Basillais, C. Boulmer-leborgne et al., Surf. Coati. Technol, vol.122, p.242, 1999.

E. Ozensoy, C. H. Peden, and J. Szanyi, J. Phys. Chem. B, vol.109, p.15977, 2005.

O. Ambacher, J. Phys. D: Appl. Phys, vol.31, p.2653, 1998.

K. P. Biju and M. K. Jain, J. Cryst. Growth, vol.311, p.2542, 2009.

S. V. Ivanov, T. V. Shubina, T. A. Komissarova, and V. N. Jmerik, J. Cryst. Growth, vol.403, p.83, 2014.

K. S. Butcher, P. P. -t-chen, and J. E. Downes, Appl. Phys. Lett, vol.100, p.11913, 2012.